在近来世界固态电路大会（ISSCC）上，东芝和SanDisk公司联合宣告将开始运用一种超高密度NAND闪存技能。
这种技能称为SanDisk X4（4-bit-per-cell），每单元4位信息存储技能。这种技能运用特别的内存控制器，能够在确保速度的一起整合更高密度的闪存。在单芯片上，东芝和SanDisk能够整合最大8GB闪存，且仍能坚持传输速度7.8MB/s不变。
一般单个闪存卡能封装4个这样的高密度芯片，而高端闪存卡则能够在此基础上增加一倍的存储容量至64GB。X4技能的运用首要得益于SanDisk的43nm出产的根本工艺，由于东芝公司上一年秋天才完成了32GB闪存卡。
首个运用X4技能的产品应在本年上半年上市，开始的产品应该是记忆卡产品。不过东芝目前为苹果iPhone和iPod供给闪存芯片，有必定的概率会在今后持续供给更大容量芯片。
